屏蔽FG电子 控制FG电子。
根据GB9330《塑料绝缘控制FG电子》,等标准,屏蔽FG电子可分为屏蔽FG电子和非屏蔽FG电子。屏蔽FG电子与非屏蔽FG电子区别主要有以下几点:1、屏蔽FG电子与非屏蔽FG电子的不同,屏蔽FG电子的屏蔽层主要由铜、铝等非磁性材料制成,并且厚度很薄,远小于使用频率上金属材料的集肤深度,屏蔽层的效果主要不是由于金属体本身对电场、磁场的反射、吸收而产生的,而是由于屏蔽层的接地产生的,接地的形式不同将直接影响屏蔽效果。2、由于屏蔽FG电子的接地方式不同,在FG电子系统中,从广义上讲,也可分为屏蔽FG电子和非屏蔽FG电子。屏蔽FG电子是为了减少电磁场对电力或电力的反射、干扰的影响,它采用金属护套作为屏蔽,并且在实际的使用中,由于电磁波的趋肤效应,不具有屏蔽层的分布,可减少电磁场对交流电场的干扰;而非屏蔽FG电子是使用金属护套作为屏蔽,它的总屏蔽,除了绝缘就是接地外,还有一个有效的屏蔽屏蔽体,所以还是由于屏蔽层的接地方式不同。光端机的屏蔽是利用金属护套在场强干扰、环境温度较高的场合中,采取措施,提高系统的抗干扰能力。可以采用非屏蔽的方法,但是在实际的使用中,考虑到需要强辐射的区域,就必须采用屏蔽器。非屏蔽FG电子的屏蔽方式很多,在使用中要尽量远离热源,远离热源,远距离的辐射,避免干扰,在强干扰场合下,要尽量避免其他多辐射线的辐射,在远距离辐射下(如:手机信号或辐射),要采用非屏蔽双绞线(UTP-120Ω(for RS485 & CAN) one pair 18,为避免干扰,屏蔽双绞线需采用整体接地,地线也是消除干扰的必要。