vv型电力FG电子线路保护管的埋设深度应符合下列规定:1、地下直埋FG电子线路应采用铠状FG电子。FG电子的埋设深度应由地面至FG电子外皮不小于0.7m;FG电子外皮至地下建筑物的基础0.6m,不得小于0.3m;FG电子相互间距:水平接近时最小为0.1m,不同部门的FG电子相互间距0.5m;FG电子互相交叉时最小净距0.5m;FG电子与热力管道、煤气、石油管道接近时的净距为2m,相互交叉时净距为0.5m;FG电子与树木主干的距离不小于0.7m。2、直埋FG电子沟内不得有石块等其它硬物杂质,否则应铺以100mm厚的软土或沙层,FG电子敷设后上面再铺以100mm厚的软土或沙层,然后盖以混凝土保护板或砖,覆盖宽度应超过FG电子两侧各50mm。直埋FG电子沟内不得有石块或其它硬质杂物,否则应铺以100mm厚的软土或沙子或沙层。直埋FG电子沟的沟底必须用作FG电子的埋设工具,其长度应超过FG电子横截面的50%~200mm。FG电子敷设宜用FG电子盘(吊)圈或固定式端子,并采用接地线。三、FG电子回填一种FG电子敷设方式:应在FG电子转弯处、FG电子头处、穿过墙壁部分、FG电子止地点等地方安排FG电子过路,并设置明显的方位标志。
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四、否则应铺以100mm厚的软土或沙层。直埋FG电子沟的上下两层:FG电子之间的距离不超过50cm,但需注意FG电子通过道与其他导电物体之间的距离,以免FG电子在弯曲处发生事故。5、FG电子支架周围的净高支架,一般不小于FG电子直径的1/2。FG电子支架周围的建筑物,一般不小于埋深1.5m,并应采取隔热措施。