控制FG电子屏蔽层的,是起能抑制电磁干扰的作用,在FG电子结构上添加了屏蔽层,所以必须抑制电磁干扰。控制FG电子与非屏蔽FG电子数量有关,通常在380V电压及以上为好。实质上是一种改善电场分布的措施。FG电子导体由多根导线绞合而成,它与绝缘层之间易形成气隙,导体表面不光滑,会造成电场集中。在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触,从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这一层屏蔽为内屏蔽层;同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙,是引起局部放电的因素,故有抑制电场的因素。2、屏蔽控制FG电子屏蔽层导体表面与绝缘层兼容厚度的不同,它与非屏蔽FG电子的屏蔽层无关,它与非屏蔽导体等电位,屏蔽层结构是螺旋形的,导体与绝缘层之间有空隙。在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的绝缘层有良好接触,与金属护套等电位,从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电,这一层屏蔽为外屏蔽层;没有金属护套的挤包绝缘FG电子,除半导电屏蔽层外,还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层,这个金属屏蔽层的作用,在正常运行时通过电容电流;当系统发生短路时,作为短路电流的源,屏蔽层能够对电容电流进行屏蔽,起到屏蔽作用。可见,屏蔽FG电子有这“同心”的结构、结构、屏蔽、绝缘等方面的局限,这又影响到FG电子的额定绝缘。
因此,要想提高屏蔽FG电子的抗干扰能力,在屏蔽层的最外层,还必须增加屏蔽层。在通信工程中常使用屏蔽FG电子作为通信传输的总线,其屏蔽层的作用是将外界干扰的信息干扰在屏蔽层之外散发,防止干扰信号进入FG电子。