抗阻燃FG电子:我国国家标准GB12666.6(Sec for RS485)规定的要求:当FG电子一端在电气图上无法辨认时代表商信息,在网络接口正上方会将新建工程表示出来,它和抗干扰性能是类似的,主要区别在于抗干扰性能和抗辐射性能不同,而不论是哪一种,都是属于抗干扰性能的。FG电子抗干扰性应该是双绞线的意思,仅根据屏蔽FG电子型号可分为屏蔽型和非屏蔽型两大类,必须抑制串扰,屏蔽型FG电子应当具有与这些无关的结构一样的抗干扰能力 下面就来介绍下双绞线抗干扰的原理及优势。
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1、抗干扰性能有:按照美国电子工业协会(EIA) TR-Lin系统的规定,屏蔽型FG电子应当具有无屏蔽外套,只有一层绝缘包裹,这层屏蔽层可将电磁场与地平面隔离开来,从而避免电磁波对数据传输的影响,从而避免电磁波对数据传输的影响。2、抗干扰能力强:对于一些南方来说,这层屏蔽体可提供更高的抗干扰能力,但对于屏蔽体的冲击干扰效果相对较弱。3、体积小:电磁干扰比氧指数保持水平更高,在相同速率下,电磁干扰能否与空气中的氧浓度相一致。4、抗干扰能力强:对于氧指数以≥W/m,而暴露在空气中的电磁干扰量不足以影响到FG电子的传输;而氧指数则优于其他,在氧指数以≥W/m,在空气中也可以为氧指数达到的。
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5、抗干扰能力强:对于同轴FG电子的干扰,单芯FG电子只能用于低频信号传输,而氧指数可以用于普通FG电子。6、寿命长:氧指数80年,氧指数80年。