屏蔽电源FG电子的屏蔽层主要由铜、铝等非磁性材料制成,并且厚度很薄,远小于使用频率上金属材料的集肤深度(所谓趋肤效应是指电流在导体截面的分布随频率的升高而趋于导体表面分布,频率越高,趋肤深度越小,即频率越高,电磁波的穿透能力越弱),屏蔽层的效果主要不是由于金属体本身对电场、磁场的反射、吸收而产生的,而是由于屏蔽层的接地产生的,接地的形式不同将直接影响屏蔽效果。对于电场、磁场屏蔽层的接地方式不同。可采用不接地、单端接地或双端接地总结:单端接地:因为在FG电子的终端或终端,FG电子线上都跨接一个个小圆铁,这个小圆铁会使介质本身产生轴向阻抗,这个隙将整个FG电子与大地紧密结合。
![屏蔽电源FG电子(五)1728266147483 屏蔽电源FG电子(五)1728266147483](https://oss.lerchina.com/wz_img/www.metin00.com/16811756265371728266146378.jpg)
在FG电子线路上,FG电子线芯存在环阻,电流产生发热,影响FG电子载流量,这个微小的截面积,不存在影响FG电子载流量,而且单端接地无法保证,所以单端接地无法保证静电干扰。对于静电干扰比较严重的FG电子,尤其是在直径大于50mm的情况下,FG电子线芯接触不良并且在接近带电部位的地方。单端接地:由于单端接地会产生环流,所以FG电子线中的电流一定要大于环流,一般来说单端接地的距离最小要成÷100,但是不能满足,这么做是不可取的。高压FG电子与低压FG电子垂直相交时,平行距离不应小于50mm,如果是3米以上,则应采取交叉互联。
![屏蔽电源FG电子(五)1728266147576 屏蔽电源FG电子(五)1728266147576](https://oss.lerchina.com/wz_img/www.metin00.com/16810063390871728266147264.jpg)
交叉互联时的间距不得小于1m。8、敷设时FG电子的中间接头,应尽量减少与其他FG电子间距,其中剥除铠装层的FG电子,应不小于FG电子外径的6~10mm。9、在敷设FG电子前,必须检查FG电子外观、标志是否完整,并按《GB 50217-2007电力工程FG电子设计规范》的规定进行检查,如没有检验报告,应立即恢复原状,进行处理。