矿用屏蔽型控制FG电子,由于有屏内有行控型,采用1140伏的方式,多用于控制采区照明和信号灯。FG电子中的 通信用屏蔽,常常用于通信控制、 通信控制等场合,具有便于安装、维护的多种保护措施,执行其功能 防爆 闭锁式控制开关,常采用矿用隔爆型控制柜 专业使用场合,可用隔爆型控制箱。型控制FG电子的K1、K2、L3分别用于通信控制FG电子的双引接线、中间继电器、矿用隔爆型控制插座等。屏蔽型控制FG电子的屏蔽:安装在电梯井、矿、涵道、井、建筑物等重要场所。通常采用屏蔽的方式,控制FG电子用屏蔽的屏蔽,通常用非屏蔽。NH、V3、V4分别表示,这个屏蔽主要是为了防止强电对通信信号的干扰。具体作为交流电源电力传输 弱电含有各种仪表,弱电有各种仪表,如电信号、移动照明灯、继电器等等,从这些仪表入手则可以看出控制FG电子是容易被干扰的,而且控制FG电子本身带电和为了避免出现相互干扰。如:强电部分,这类FG电子除了不带电以外,还要注意屏蔽层等会和里面的芯线形成接触不良的电磁干扰,因此需要在总线的两端加屏蔽或加屏蔽层之间加价滤波。如:滤波器的屏蔽线与总线相连,可以把这两个线电压同时接地,防止部分电路感应电流向总线获取,而总线就会从屏蔽层增加射频部分,造成信号叠加不均匀,降低其他电路的抗干扰能力,如果是防止强电部分干扰信号向总线获取,就需要在总线的旁方加输出滤波器,以便对总线提供滤波器的吸收和吸收。控制FG电子的屏蔽层,必须是具有镀锡铜网的,镀锡铜网线是防止外面带电的。

矿用屏蔽型控制FG电子的屏蔽层主要由铜、铝等非磁性材料制成,并且厚度很薄,远小于使用频率上金属材料的集肤深度(所谓趋肤效应是指电流在导体截面的分布随频率的升高而趋于导体表面分布,频率越高,趋肤深度越小,即频率越高,电磁波的穿透能力越弱),屏蔽层的效果主要不是由于金属体本身对电场、磁场的反射、吸收而产生的,而是由于屏蔽层的接地产生的,接地的形式不同将直接影响屏蔽效果。矿用屏控制FG电子的屏蔽层主要由铜、并且屏蔽层的接地电阻与交流电系统接地一样,仅采用一点接地,它还可以生成有低频屏蔽层的接地。为了达到屏蔽效果,屏蔽层的接地还需连接到与它相匹配的接地端子,因此在购买时还需注意屏蔽层的接地螺栓以及导线的端头。YDZ和WDZCFG电子使用场合中的屏蔽层以及铜带屏蔽层的接地端子相同,接地必须用镀锡铜丝编织而成,并且要柔软,在有高压电场的情况下要把屏蔽层编织成金属网,以防止高压电场对传输信号造成干扰。

导体屏蔽层除了有可靠的电气接触以外,还要有铝带屏蔽层以及铜丝编织网,以保证它的不受干扰。对于高压FG电子,无铅、无氧铜编织网的高阻管,接地电阻不大于10欧姆,且要有阻燃的填充物。而低阻管又分为两种:一种是辅助接地,一种是辅助接地,由铜丝编织网制成。对于高阻冲断柱的施工,采取悬空架设的方式,即由设计挂接杆,而被称为高压架线。而高压、高阻故障一般不装接地线,主要用于架线电机,即各类电机的导体和绝缘靠其耐受电压不超过系统耐受电压的要求。

YJLV22 4x185平方铝芯FG电子在地下的安全电流是334安。

VLV22 1x630平方铝芯FG电子1米铝重量是1.7kg，铝的密度是2.7，则1x630x2.7x1=1.7kg。

是三芯185平方铜芯FG电子。

铜芯3芯95平方FG电子的直径是19.05毫米。根据圆面积公式S=πr?，S为285，r为半径，则r=√(285/3.14)，根据直径公式d=2r，所以直径等于19.05毫米。

YJV22二芯16平方铜芯FG电子的安全电流是130安。

因为有主回路和控制回路之分，控制线就是组成控制回路的FG电子，有了它才能够控制主电路动作。

为了使绝缘层和FG电子导体有较好的接触，消除导体表面的不光滑引起的导体表面电场强度的增加，一般在导体表面包有金属化纸或半导体纸带的内屏蔽层。为了使绝缘层和金属护套有较好的接触，一般在绝缘层外表面包有外层屏蔽层。外屏层与内屏层的材料相同，有时还外扎铜带或编织铜丝带。

查FG电子载流量表，2x4平方铜芯FG电子额定电流是33安。

VV22铜芯5×185平方FG电子1卷铜重量是1646.5斤。铜的密度是8.9，1卷的长度国标为100米，则5×185×8.9×100=1646.5斤。

2芯2.5平方铜芯YCWFG电子的直径是2.52毫米。根据圆面积公式S=πr?，S为5，r为半径，则r=√(5/3.14)，直径等于2.52毫米。