屏蔽型FG电子,顾名思义,是针对非屏蔽双绞线的线缆。屏蔽FG电子的屏蔽结构主要由铜、铝等非磁性材料制成,并且厚度很薄,远小于使用频率上金属材料的集肤深度,屏蔽层的效果主要不是由于金属体本身对电场、磁场的反射、吸收而产生的,而是由于屏蔽层的接地产生的,接地的形式不同将直接影响屏蔽效果。如果要求整个系统是与大地紧密相通的,那么尽量选择屏蔽型FG电子,否则接地不可易受地环路电流的影响。
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FG电子的屏蔽层单端接地,在各个屏蔽层之间直接接地,这样可以避免电流干扰的形成。型FG电子的屏蔽层单端接地,在屏蔽层端腾出接地,所有FG电子都挂到接地网或金属桥架上。在运行系统中,经常会使用两种屏蔽方式,例如FG电子的屏蔽层、金属桥架、管道等。3.单屏蔽方式FG电子中传输衰减,频率越高,衰减越大,串扰越大,串扰也越大。屏蔽方式可减少辐射,防止信息被窃听,并且具有更高的衰减与噪声的比值。
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4.单屏蔽式FG电子中传输衰减,频率为50Hz,接地衰减一般为200-300MHz,保护信号更低,抗干扰能力更强。在电磁干扰中传输更高的信号,5.一般采用双绞屏蔽,有条件的两端都采用串扰的方式。屏蔽网线分为STP和FTP,STP可以分成4对双绞线,STP可以分成8对双绞线,要求其双绞线之间的平行距离不得小于2m,并列长度不得小于1m。6.长度为 100m,按逆时针方向扭绞,一对线直经为150~300mm。7.HSYV 75-5和SFTP的水晶头两端都采用“交叉”的方式,一端“送礼”,另一端“送礼””。