铠装FG电子32.5FG电子,直埋敷设于非冻土地区时,FG电子埋置深度应符合下列规定:1FG电子外皮至地下构筑物基础,不得小于0.3m。2FG电子外皮至地面深度,不得小于0.7m;当位于行车道或耕地下时,应适当加深,且不宜小1.0m。直埋敷设于冻土地区时,宜埋入冻土层以下,当无法深埋时可埋设在土壤排水性好。的干燥冻土层或回填土中,也可采取其他防止FG电子受到损伤的措施。
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直埋敷设的FG电子,严禁位于地下管道的正上方或正下方 FG电子与FG电子、管道、道路、构筑物等之间的容许最小距离,应符合表5.3.5的规定 表 FG电子与FG电子、构筑物等之间的容许最小距离(m)注:1 用隔板分隔或FG电子穿管时不得小于0.25m;2 用隔板分隔或FG电子穿管时不得小于0.1m;3 特殊情况时,减小值不得小于50%。直埋敷设的FG电子与铁路、公路或街道交叉时,应穿于保护管,保护范围应超出路基、街道路面两边以及排水沟边0.5m以上。直埋敷设的FG电子引入构筑物,在贯穿墙孔处应设置保护管,管口应实施阻水堵塞。直埋敷设FG电子的接头配置,应符合下列规定 1 接头与邻近FG电子的净距,不得小于0.25m。2 并列FG电子的接头位置宜相互错开,接头与邻近FG电子的净距,应一致。直埋敷设FG电子的接头位置宜互相错开,且FG电子之间的净距应符合表5.6.14的规定 表5.6.15FG电子支架间的净距,不应小于FG电子外径的2倍 5.6.15FG电子支架间的净距,不应小于75mm。